4月1日，國務(wù)院國資委發(fā)布《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊（2023年版）》，包括電子元器件、零部件、儀器設(shè)備、軟件產(chǎn)品、新材料、工藝技術(shù)、高端裝備七個領(lǐng)域，共202項科技創(chuàng)新成果。中國有研的 “高強度吸氣劑”、“集成電路用12英寸高純銅鋁靶材”、“集成電路用12英寸高純鎳鉑靶材”、“高性能異方性稀土粘結(jié)磁體”、“稀土金屬釓棒”、 “EB-PVD用先進陶瓷材料”、“硼化鋯靶材”、“高流動性鋁合金粉末”等8項科技成果入選手冊，是新材料領(lǐng)域入圍成果最多的單位。
未來，中國有研將進一步深化以科技創(chuàng)新為核心的全面創(chuàng)新，聚焦戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展部署創(chuàng)新鏈，加強原創(chuàng)技術(shù)供給，加速科技成果向現(xiàn)實生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化，培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力的新動能，為實現(xiàn)高水平科技自立自強貢獻有研力量。
高強度吸氣劑
有研工研院
高強度吸氣劑可通過物理或化學的方式吸附H2、CO、N2等氣體，是實現(xiàn)慣性傳感器、紅外探測器、行波管、中子管等高端真空器件內(nèi)部真空工作環(huán)境長效維持的關(guān)鍵功能元器件，具有低污染、高可靠性、高吸氣性能等特點。經(jīng)過科技攻堅，有研工研院突破了高可靠性加熱組件及高強度吸氣材料制備等關(guān)鍵技術(shù)，取得了系列知識產(chǎn)權(quán)。目前，產(chǎn)品已實現(xiàn)工程化制備，具備持續(xù)批量供貨的能力。
集成電路用12英寸高純銅鋁靶材
有研億金
銅及銅合金以低電阻率、高導(dǎo)電性和布線工藝步驟少等優(yōu)點在芯片的高端應(yīng)用上優(yōu)勢顯著，在45nm以下的制程中添加鋁元素能夠有效抑制線寬減少帶來的電遷移及RC延遲問題，提高銅種籽層的穩(wěn)定性。有研億金通過科技攻關(guān)，突破了包括大尺寸高純鑄錠熔煉、微觀組織控制、高可靠性焊接等12英寸高純銅鋁合金濺射靶材核心關(guān)鍵技術(shù)，應(yīng)用于集成電路先進制程，產(chǎn)品實現(xiàn)批量穩(wěn)定供貨，性能達到國際先進水平，推動了我國高端集成電路先進制程用關(guān)鍵材料的技術(shù)進步。
集成電路用12英寸高純鎳鉑靶材
有研億金
集成電路用12英寸高純鎳鉑靶是65-28nm特征尺寸大規(guī)模集成電路用關(guān)鍵材料，形成NiSi化合物，代替硅化鈷用于集成電路柵極、源/漏極區(qū)接觸層，可提高溝道內(nèi)載流子遷移率，降低器件阻抗與功耗，提升驅(qū)動電流、頻率響應(yīng)和操作速度。隨著電子器件微細化及高集成度技術(shù)的發(fā)展，對靶材的純度、微觀組織、磁性能、焊接性能等的精細化控制要求越來越高。有研億金通過自主創(chuàng)新，掌握了12英寸高純鎳鉑材料制備的核心技術(shù)，產(chǎn)品實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，最終形成具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路芯片用高純鎳鉑靶材制造技術(shù)及批量生產(chǎn)能力。
高性能異方性稀土粘結(jié)磁體
有研稀土
稀土粘結(jié)磁體具有尺寸精度高、形狀自由度大、電阻率高等優(yōu)點，是稀土永磁材料的重要組成部分。稀土粘結(jié)磁體主要制成電機轉(zhuǎn)子或定子，核心功能是提供恒定磁場，實現(xiàn)電能與機械能的相互轉(zhuǎn)換。本項目開發(fā)的高性能異方性稀土粘結(jié)磁體打破了國外長期壟斷，有效填補傳統(tǒng)同方性粘結(jié)磁體與燒結(jié)磁體間的性能空白，能夠支撐基礎(chǔ)機電部件輕量化、小型化和高能效化，為下游微特電機產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈的自主可控提供了有效支撐?；诖诵虏牧祥_發(fā)的新型電機展現(xiàn)出輸出轉(zhuǎn)矩大、電機特性平穩(wěn)、服役噪音小的優(yōu)勢，且比傳統(tǒng)電機體積減少20%，重量降低30%。在新能源汽車、高端電動工具等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)示范應(yīng)用，在“雙碳”戰(zhàn)略推動下，有著廣闊的應(yīng)用前景和市場需求。
稀土金屬釓棒
有研稀土
釓具有極高中子吸收截面，作為中子吸收材料防止意外的中子鏈式裂變反應(yīng)或核輻射導(dǎo)致放射性事故。有研稀土突破了乏燃料后處理用稀土金屬釓棒的原料制備、大尺寸低缺陷鑄造、變形加工、精密加工、后處理等全流程關(guān)鍵核心技術(shù)，產(chǎn)品純度、同位素豐度、密度、粗糙度、尺寸等指標均滿足后處理國家重大工程的相關(guān)要求，建成了我國第一條乏燃料后處理用稀土金屬釓棒生產(chǎn)線，實現(xiàn)了多種規(guī)格釓棒的批量制備，噸級不同規(guī)格釓棒在后處理示范工程實現(xiàn)應(yīng)用，填補了國內(nèi)空白。該產(chǎn)品為我國核燃料閉式循環(huán)和核電高質(zhì)量發(fā)展筑牢材料保障，助力實現(xiàn)碳達峰、碳中和目標，履行央企社會責任。
EB-PVD用先進陶瓷材料
有研資環(huán)院
為滿足先進航空發(fā)動機和燃氣輪機對熱障涂層材料自主化的戰(zhàn)略需求，有研資環(huán)院通過多年技術(shù)攻關(guān)，先后攻克了EB-PVD用先進陶瓷材料的微觀結(jié)構(gòu)控制、密度控制、純度控制等關(guān)鍵技術(shù)，形成了完全自主知識產(chǎn)權(quán)。主要產(chǎn)品包括第三代熱障涂層用氧化鋯釔陶瓷材料和新型超高溫熱障涂層用稀土鋯酸鹽陶瓷材料，先后為國內(nèi)航空發(fā)動機和燃氣輪機生產(chǎn)研發(fā)單位供貨，產(chǎn)品合格率大于98%，產(chǎn)品各項性能指標達到國際先進水平，實現(xiàn)了EB-PVD用先進陶瓷材料國產(chǎn)化替代。EBPVD用先進陶瓷材料的國產(chǎn)化突破，打破了“兩機”用關(guān)鍵原材料受制于人的局面，保障了我國先進航空發(fā)動機和燃氣輪機的快速發(fā)展對熱障涂層材料的迫切需求。
硼化鋯靶材
有研資環(huán)院
10B富集的硼化鋯靶材是制備三代核電AP1000反應(yīng)堆燃料元件一體化可燃毒物吸收體（簡稱IFBA）的核心材料之一，用于調(diào)節(jié)反應(yīng)堆的反應(yīng)性。目前，國內(nèi)尚無10B富集硼化鋯靶材產(chǎn)品，制備一體化可燃毒物涂層所需的靶材只能依賴進口。有研資環(huán)院自2010年起開展10B富集硼化鋯靶材自主研發(fā)，先后攻克了硼化鋯粉體可控合成、10B豐度均勻性和穩(wěn)定性控制、靶材深度致密化等關(guān)鍵技術(shù)，完成靶材全工藝過程穩(wěn)定性控制研究及應(yīng)用驗證，建成了硼化鋯靶材工程化能力，靶材產(chǎn)品各項性能指標滿足核燃料元件使用要求，打破了受制于人的困境，解決了我國核電技術(shù)領(lǐng)域存在的產(chǎn)業(yè)安全風險隱患，切實保障我國核電燃料元件的自主化發(fā)展。
高流動性鋁合金粉末
有研增材
增材制造用高流動性鋁合金粉末產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)具備運行成本低，粒度分布窄、粉末球形度好、氧含量易控制，可連續(xù)工業(yè)化生產(chǎn)等優(yōu)勢，通過該技術(shù)生產(chǎn)粉末的成本降低50%以上。開發(fā)的高品質(zhì)鋁合金粉末以3D打印用15-53μm AlSi10Mg為例，粉末流動性≤80s/50g，松比≥1.45g/cm³，振實密度≥1.65g/cm³，球形度≥97%，無衛(wèi)星球和空心粉，即實現(xiàn)制備的粉末相對于市場現(xiàn)有粉末流動性提高＞30%，松比、振實密度提高＞15%，且氧含量可控制在300PPm，主要應(yīng)用于在航空航天、大型飛機、船舶、汽車、新能源等領(lǐng)域。